想必现在有很多小伙伴对于工业上利用$Ga$与$NH_{3}$高温条件下合成半导体材料氮化镓$\left(GaN\right)$固体同时有氢气生成。反应中，每生成$3mol H_{2}$时放出$30.8kJ$的热量。恒温恒容密闭体系内进行上述反应，下列有关表达正确的是（ ）A.$Ⅰ$图象中如果纵坐标为正反应速率，则$t$时刻改变的条件可以为升温或加压B.$Ⅱ$图象中纵坐标可以为$NH_{3}$的平衡转化率C.Ⅲ图象中纵坐标可以为化学反应速率D.Ⅳ图象中纵坐标可以为体系内混合气体平均相对分子质量","title_text":"工业上利用$Ga$与$NH_{3}$高温条件下合成半导体材料氮化镓$\left(GaN\right)$固体同时有氢气生成。反应中，每生成$3mol H_{2}$时放出$30.8kJ$的热量。恒温恒容密闭体系内进行上述反应，下列有关表达正确的是（ ）A.$Ⅰ$图象中如果纵坐标为正反应速率，则$t$时刻改变的条件可以为升温或加压B.$Ⅱ$图象中纵坐标可以为$NH_{3}$的平衡转化率C.Ⅲ图象中纵坐标可以为化学反应速率D.Ⅳ图象中纵坐标可以为体系内混合气体平均相对分子质量方面的知识都比较想要了解，那么今天小好小编就为大家收集了一些关于工业上利用$Ga$与$NH_{3}$高温条件下合成半导体材料氮化镓$\left(GaN\right)$固体同时有氢气生成。反应中，每生成$3mol H_{2}$时放出$30.8kJ$的热量。恒温恒容密闭体系内进行上述反应，下列有关表达正确的是（ ）A.$Ⅰ$图象中如果纵坐标为正反应速率，则$t$时刻改变的条件可以为升温或加压B.$Ⅱ$图象中纵坐标可以为$NH_{3}$的平衡转化率C.Ⅲ图象中纵坐标可以为化学反应速率D.Ⅳ图象中纵坐标可以为体系内混合气体平均相对分子质量","title_text":"工业上利用$Ga$与$NH_{3}$高温条件下合成半导体材料氮化镓$\left(GaN\right)$固体同时有氢气生成。反应中，每生成$3mol H_{2}$时放出$30.8kJ$的热量。恒温恒容密闭体系内进行上述反应，下列有关表达正确的是（ ）A.$Ⅰ$图象中如果纵坐标为正反应速率，则$t$时刻改变的条件可以为升温或加压B.$Ⅱ$图象中纵坐标可以为$NH_{3}$的平衡转化率C.Ⅲ图象中纵坐标可以为化学反应速率D.Ⅳ图象中纵坐标可以为体系内混合气体平均相对分子质量方面的知识分享给大家，希望大家会喜欢哦。

1、$A$.如果纵坐标为正反应速率，升高温度或增大压强，反应速率增大。

2、图象符合题意，故$A$正确；$B$.增大压强，平衡逆向移动。

3、则氨气的转化率减小，故$B$错误；$C.Ga$是固体，其质量不影响反应速率。

4、故$C$错误；$D$.相同压强下，升高温度，平衡逆向移动。

5、平均相对分子质量增大；相同温度下，增大压强，平衡逆向移动。

6、平均相对分子质量增大，所以压强大的曲线在上面，故$D$错误；故选：$A$。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。

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