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三星电子通过最新的硅创新和生态系统平台展示先进代工技术的领先地位

2021-07-18 13:58:32 科技来源：

导读三星电子是先进半导体技术的全球领导者，今天在 2019 年三星代工论坛上宣布其对代工创新和服务的持续承诺，为硅社区提供广泛的技术进步更

三星电子是先进半导体技术的全球领导者，今天在 2019 年三星代工论坛上宣布其对代工创新和服务的持续承诺，为硅社区提供广泛的技术进步更新，以支持当今最苛刻的应用和明天。

该活动今天在加利福尼亚州圣克拉拉举行，三星高管和行业专家将回顾半导体技术和代工平台解决方案的进展，这些解决方案支持人工智能 (AI)、机器学习、5G 网络、汽车、物联网 ( IoT)、高级数据中心和许多其他领域。

“我们正处于第四次工业革命的边缘，这是一个高性能计算和连接的新时代，它将改善地球上每个人的日常生活，”三星电子总裁兼代工业务负责人 ES Jung 博士说.

“三星电子完全明白，实现强大而可靠的硅解决方案不仅需要最先进的制造和封装工艺以及设计解决方案，还需要基于信任和共同愿景的代工-客户协作关系。今年的铸造论坛充满了令人信服的证据，证明我们致力于在所有这些领域取得进步，我们很荣幸能够与我们行业最优秀和最聪明的人进行交流，”Jung 博士补充道。

铸造论坛的亮点包括：

新的 3nm GAE PDK 0.1 版已准备就绪

三星的 3nm Gate-All-Around (GAA) 工艺 3GAE 正在开发中。该公司今天指出，其用于 3GAE 的工艺设计套件 (PDK) 0.1 版已于 4 月发布，以帮助客户尽早开始设计工作，并在缩短周转时间 (TAT) 的同时提高设计竞争力。

与 7nm 技术相比，三星的 3GAE 工艺旨在将芯片面积减少 45%，同时功耗降低 50%，性能提高 35%。基于 GAA 的工艺节点有望在下一代应用中得到广泛采用，例如移动、网络、汽车、人工智能 (AI) 和物联网。

基于纳米线的传统 GAA 由于其有效沟道宽度小而需要更多的堆叠。另一方面，三星的 GAA 专利版本 MBCFET™(多桥通道 FET)使用纳米片架构，可实现每个堆栈更大的电流。

虽然 FinFET 结构必须以离散方式调节鳍的数量，但 MBCFET™ 通过控制纳米片宽度提供更大的设计灵活性。此外，MBCFET™ 与 FinFET 工艺的兼容性意味着两者可以共享相同的制造技术和设备，从而加快工艺开发和生产量产。

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