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先进内存技术的全球领导者三星电子今天宣布，它已成功出货了 100 万个基于极紫外 (EUV) 技术的业界首款 10纳米级 (D1x) DDR4 (双倍数据速率 4) DRAM 模块。新的基于 EUV 的 DRAM 模块已完成全球客户评估，并将为用于高端 PC、移动、企业服务器和数据中心应用的更多尖端 EUV 工艺节点打开大门。
三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jung-bae Lee 表示：“随着我们基于 EUV 的新型DRAM的生产，我们充分致力于提供革命性的 DRAM 解决方案以支持我们的全球 IT 客户。“这一重大进步凸显了我们将如何通过及时为高端内存市场开发领先的工艺技术和下一代内存产品，继续为全球 IT 创新做出贡献。”
三星率先在 DRAM 生产中采用 EUV，以克服DRAM 缩放方面的挑战。EUV 技术减少了多重图案化中的重复步骤并提高了图案化精度，从而提高了性能和良率并缩短了开发时间。
EUV 将全面部署在三星的未来几代 DRAM 中，从其第四代 10 纳米级 (D1a) 或高度先进的 14 纳米级 DRAM 开始。三星预计明年将开始批量生产基于 D1a 的 DDR5 和 LPDDR5，这将使 12 英寸 D1x 晶圆的制造生产率提高一倍。
随着明年DDR5/LPDDR5市场的扩大，公司将进一步加强与领先IT客户和半导体厂商在优化标准规格方面的合作，加速整个内存市场向DDR5/LPDDR5的过渡。
为了更好地满足对下一代优质 DRAM 不断增长的需求，三星将在今年下半年开始在韩国平泽开设第二条半导体生产线。
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