想必现在有很多小伙伴对于$(1)$氨硼烷$(NH_{3}BH_{3})$是一种潜在的储氢材料，它可由六元环状化合物$\left(BH=NH\right)_{3}$通过$3CH_{4}+2\left(HB=NH\right)_{3}+6H_{2}O$═$3CO_{2}+6H_{3}BNH_{3}$制得。①$N$原子价电子排布式是______，核外电子运动状态有______种。②$NH_{3}BH_{3}$中$B$原子的杂化类型是______，$N$与$B$之间的作用力是______。③与$\left(HB=NH\right)_{3}$互为等电子体的分子为______。（填写分子式）$(2)$已知液态的二氧化硫可以发生类似的水自身电离反应：$2SO_{2}(l)leftharpoons SO^{2+}+SO_{3}^{2-}$。$SO^{2+}$与氮气是等电子体，其中的$\sigma $键和$\pi $键数目之比为______，$SO_{3}^{2-}$空间构型是______。$(3)$由$O$、$Cl$元素可组成不同的单质和化合物，其中$Cl_{2}O_{2}$能破坏臭氧层。$Cl_{2}O_{2}$的沸点比$H_{2}O_{2}$低，原因是______。$(4)$氮化镓是一种半导体材料。如图所示，晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被$N$原子代替（如$b)$，顶点和面心的碳原子被$Ga$原子代替（如$a)$①与同一个$Ga$原子相连的$N$原子构成的空间构型为______。②用三维坐标表示原子的位置（$)$，若$A$点的坐标是$\left(0,0,0\right)$，$b$点的坐标是______。③阿伏加德罗常数的值为$N_{A}$，则$GaN$晶体的密度为$\rho g\cdot cm^{-3}$。$GaN$晶胞边长为______$pm$。$(1pm=10^{-12}m)$","title_text":"$(1)$氨硼烷$(NH_{3}BH_{3})$是一种潜在的储氢材料，它可由六元环状化合物$\left(BH=NH\right)_{3}$通过$3CH_{4}+2\left(HB=NH\right)_{3}+6H_{2}O$═$3CO_{2}+6H_{3}BNH_{3}$制得。①$N$原子价电子排布式是______，核外电子运动状态有______种。②$NH_{3}BH_{3}$中$B$原子的杂化类型是______，$N$与$B$之间的作用力是______。③与$\left(HB=NH\right)_{3}$互为等电子体的分子为______。（填写分子式）$(2)$已知液态的二氧化硫可以发生类似的水自身电离反应：$2SO_{2}(l)leftharpoons SO^{2+}+SO_{3}^{2-}$。$SO^{2+}$与氮气是等电子体，其中的$\sigma $键和$\pi $键数目之比为______，$SO_{3}^{2-}$空间构型是______。$(3)$由$O$、$Cl$元素可组成不同的单质和化合物，其中$Cl_{2}O_{2}$能破坏臭氧层。$Cl_{2}O_{2}$的沸点比$H_{2}O_{2}$低，原因是______。$(4)$氮化镓是一种半导体材料。如图所示，晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被$N$原子代替（如$b)$，顶点和面心的碳原子被$Ga$原子代替（如$a)$①与同一个$Ga$原子相连的$N$原子构成的空间构型为______。②用三维坐标表示原子的位置（$)$，若$A$点的坐标是$\left(0,0,0\right)$，$b$点的坐标是______。③阿伏加德罗常数的值为$N_{A}$，则$GaN$晶体的密度为$\rho g\cdot cm^{-3}$。$GaN$晶胞边长为______$pm$。$(1pm=10^{-12}m)$方面的知识都比较想要了解，那么今天小好小编就为大家收集了一些关于$(1)$氨硼烷$(NH_{3}BH_{3})$是一种潜在的储氢材料，它可由六元环状化合物$\left(BH=NH\right)_{3}$通过$3CH_{4}+2\left(HB=NH\right)_{3}+6H_{2}O$═$3CO_{2}+6H_{3}BNH_{3}$制得。①$N$原子价电子排布式是______，核外电子运动状态有______种。②$NH_{3}BH_{3}$中$B$原子的杂化类型是______，$N$与$B$之间的作用力是______。③与$\left(HB=NH\right)_{3}$互为等电子体的分子为______。（填写分子式）$(2)$已知液态的二氧化硫可以发生类似的水自身电离反应：$2SO_{2}(l)leftharpoons SO^{2+}+SO_{3}^{2-}$。$SO^{2+}$与氮气是等电子体，其中的$\sigma $键和$\pi $键数目之比为______，$SO_{3}^{2-}$空间构型是______。$(3)$由$O$、$Cl$元素可组成不同的单质和化合物，其中$Cl_{2}O_{2}$能破坏臭氧层。$Cl_{2}O_{2}$的沸点比$H_{2}O_{2}$低，原因是______。$(4)$氮化镓是一种半导体材料。如图所示，晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被$N$原子代替（如$b)$，顶点和面心的碳原子被$Ga$原子代替（如$a)$①与同一个$Ga$原子相连的$N$原子构成的空间构型为______。②用三维坐标表示原子的位置（$)$，若$A$点的坐标是$\left(0,0,0\right)$，$b$点的坐标是______。③阿伏加德罗常数的值为$N_{A}$，则$GaN$晶体的密度为$\rho g\cdot cm^{-3}$。$GaN$晶胞边长为______$pm$。$(1pm=10^{-12}m)$","title_text":"$(1)$氨硼烷$(NH_{3}BH_{3})$是一种潜在的储氢材料，它可由六元环状化合物$\left(BH=NH\right)_{3}$通过$3CH_{4}+2\left(HB=NH\right)_{3}+6H_{2}O$═$3CO_{2}+6H_{3}BNH_{3}$制得。①$N$原子价电子排布式是______，核外电子运动状态有______种。②$NH_{3}BH_{3}$中$B$原子的杂化类型是______，$N$与$B$之间的作用力是______。③与$\left(HB=NH\right)_{3}$互为等电子体的分子为______。（填写分子式）$(2)$已知液态的二氧化硫可以发生类似的水自身电离反应：$2SO_{2}(l)leftharpoons SO^{2+}+SO_{3}^{2-}$。$SO^{2+}$与氮气是等电子体，其中的$\sigma $键和$\pi $键数目之比为______，$SO_{3}^{2-}$空间构型是______。$(3)$由$O$、$Cl$元素可组成不同的单质和化合物，其中$Cl_{2}O_{2}$能破坏臭氧层。$Cl_{2}O_{2}$的沸点比$H_{2}O_{2}$低，原因是______。$(4)$氮化镓是一种半导体材料。如图所示，晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被$N$原子代替（如$b)$，顶点和面心的碳原子被$Ga$原子代替（如$a)$①与同一个$Ga$原子相连的$N$原子构成的空间构型为______。②用三维坐标表示原子的位置（$)$，若$A$点的坐标是$\left(0,0,0\right)$，$b$点的坐标是______。③阿伏加德罗常数的值为$N_{A}$，则$GaN$晶体的密度为$\rho g\cdot cm^{-3}$。$GaN$晶胞边长为______$pm$。$(1pm=10^{-12}m)$方面的知识分享给大家，希望大家会喜欢哦。

1、（1）①主族元素的价电子就是最外层电子，$N$最外层为第二层，排布$5$个电子。

2、对应排布式为：$2s^{2}2p^{3}$；$N$原子共有$7$个电子，每一个电子运动状态都是不同的（即使是同一轨道内自旋方向也是不同的），故核外电子运动状态有$7$种。

3、故答案为：$2s^{2}2p^{3}$；$7$；②$B$原子连了$3$个$H$原子和$1$个$N$原子，其中$Narrow B$为配位键，故$B$共有$4$对价层电子对。

4、根据杂化理论知其为$sp^{3}$杂化；$B$原子有$3$个价电子，按照价键理论只能形成$3$个共价键，故与$N$之间的共价键为配位键。

5、$N$提供孤电子对，$B$提供空轨道，故答案为：$sp^{3}$；配位键；③将分子中的$B$、$N$原子均换成$C$原子。

6、可保证原子数和价电子数均不变，故其等电子体为苯，分子式为$C_{6}H_{6}$。

7、故答案为：$C_{6}H_{6}$；$(2)$等电子体具有相似的化学键结构，故$SO^{2+}$中$S$与$O$之间为三键，$1$个为$sigma $键。

8、$2$个为$pi $键；亚硫酸根离子中心$S$原子的价层电子对$=sigma $电子对$+$孤电子对$=3+frac{6+2-2×3}{2}=4$，根据价层电子对互斥理论知，亚硫酸根离子空间构型为三角锥形。

9、故答案为：$1:2$；三角锥形；$(3)$虽然$Cl_{2}O_{2}$相对分子质量比$H_{2}O_{2}$大，但$H_{2}O_{2}$分子间能形成氢键，故沸点比$Cl_{2}O_{2}$高。

10、故答案为：$H_{2}O_{2}$分子间能形成氢键；$(4)$①该晶胞中含有$N$原子$4$个，$Ga$原子个数为$8times frac{1}{8}+6times frac{1}{2}=4$，故两者之比为$1:1$。

11、两者配位数相同，由图示可知$N$原子配位数为$4$，故$Ga$配位数也为$4$。

12、即$1$个$Ga$连接$4$个$N$，其空间构型类似$CH_{4}$，为正四面体。

13、故答案为：正四面体；②将晶胞分割成$8$个小立方体，$b$点位于小立方体的体心，$x$、$z$轴等于边长的$frac{1}{4}$。

14、$y$轴等于边长的$frac{3}{4}$，故$b$点坐标为（$frac{1}{4}$，$frac{1}{4}$。

15、$frac{3}{4})$，故答案为：（$frac{1}{4}$，$frac{1}{4}$。

16、$frac{3}{4})$；③由①问分析知，该晶胞中含$4$个$GaN$，故晶胞的质量$=frac{4×84}{{N}_{A}}g$。

17、设边长为$acm$，则晶胞体积$=a^{3}cm^{3}$，故晶胞密度$rho =frac{frac{4×84}{{N}_{A}}}{a{}^{3}}gcdot cm^{-3}$。

18、解得$a=sqrt[3]{frac{336}{{N}_{A}ρ}}cm$，即$sqrt[3]{frac{336}{{N}_{A}ρ}}times 10^{10}pm$，故答案为：$sqrt[3]{frac{336}{{N}_{A}ρ}}times 10^{10}$。

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