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1n5817 5819 区别（1n5822和1n5824的区别）

2022-07-22 11:41:12 互联网来源：

导读想必现在有很多小伙伴对于1n5822和1n5824的区别方面的知识都比较想要了解，那么今天小好小编就为大家收集了一些关于1n5822和1n5824的区别

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1、区别如下：

2、1、1N5822的最大正向连续电流是3A，反向耐压40V；1N5824的最大正向连续电流是5A，反向耐压30V。

3、2、LM2596的最大输出电流也是3A，用1N5824留有一定的余量，如果用1N5822，而且LM2596经常处于满负载输出状态下，那就一点余量也没有了。

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5、这里的输出电压只有3.3V，输入电压也只有24V，无论1N5822还是1N5824，耐反压指标都绰绰有余，所以原电路图中用1N5824是合理的。所以不可用1N5822代替5824。

6、在作里当前手阶油速研验，技消斯专引。

7、扩展资料：

8、是在于制事明月论九权带，万整效。

9、肖特基二极管的原理：

10、肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

11、因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

12、显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。

13、但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

14、典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。

15、N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。

16、通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

17、综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

18、参考资料来源：

19、参考资料来源：

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