想必现在有很多小伙伴对于如图是元素周期表的一部分：$\mathrm{N}$$\mathrm{P}$①$\mathrm{Sb}$（1）写出元素①的元素符号， 与①同周期的主族元素中，第一电离能比①大的有种。（2）基态锑（$\mathrm{Sb}$）原子的价电子排布式为。$\left[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}\right[{\mathrm{SbF}}_{6}{]}^{-}$（氟酸锑）是一种超强酸，则$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$离子的空间构型为，写出一种与$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$互为等电子体的分子。（3）下列说法正确的是（）A.${\mathrm{N}}_{2}{\mathrm{H}}_{4}$分子中含5个$\mathrm{\text{σ}}$键和1个$\pi $键B.基态$\mathrm{P}$原子中，电子占据的最高能级符号为MC.$\mathrm{Sb}$位于p区D.升温实现—液氨$\to $氨气$\to $氮气和氢气变化的阶段中，微粒间破坏的主要的作用力依次是氢键、极性共价键。（4）$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如表所示，解释$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$熔点变化原因。物质$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$熔点\/${\,}^{\circ }\mathrm{C}$17001480（5） $\mathrm{GaN}$晶胞结构如图1所示，已知六棱柱底边边长为a cm。①晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆积方式，每个$\mathrm{Ga}$原子周围距离最近的$\mathrm{Ga}$原子数目为；②从$\mathrm{GaN}$晶体中分割出的平行六面体如图2所示。若该平行六面体的体积为$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶体的密度为$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。","title_text":"如图是元素周期表的一部分：$\mathrm{N}$$\mathrm{P}$①$\mathrm{Sb}$（1）写出元素①的元素符号， 与①同周期的主族元素中，第一电离能比①大的有种。（2）基态锑（$\mathrm{Sb}$）原子的价电子排布式为。$\left[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}\right[{\mathrm{SbF}}_{6}{]}^{-}$（氟酸锑）是一种超强酸，则$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$离子的空间构型为，写出一种与$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$互为等电子体的分子。（3）下列说法正确的是（）A.${\mathrm{N}}_{2}{\mathrm{H}}_{4}$分子中含5个$\mathrm{\text{σ}}$键和1个$\pi $键B.基态$\mathrm{P}$原子中，电子占据的最高能级符号为MC.$\mathrm{Sb}$位于p区D.升温实现—液氨$\to $氨气$\to $氮气和氢气变化的阶段中，微粒间破坏的主要的作用力依次是氢键、极性共价键。（4）$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如表所示，解释$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$熔点变化原因。物质$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$熔点\/${\,}^{\circ }\mathrm{C}$17001480（5） $\mathrm{GaN}$晶胞结构如图1所示，已知六棱柱底边边长为a cm。①晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆积方式，每个$\mathrm{Ga}$原子周围距离最近的$\mathrm{Ga}$原子数目为；②从$\mathrm{GaN}$晶体中分割出的平行六面体如图2所示。若该平行六面体的体积为$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶体的密度为$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。方面的知识都比较想要了解，那么今天小好小编就为大家收集了一些关于如图是元素周期表的一部分：$\mathrm{N}$$\mathrm{P}$①$\mathrm{Sb}$（1）写出元素①的元素符号， 与①同周期的主族元素中，第一电离能比①大的有种。（2）基态锑（$\mathrm{Sb}$）原子的价电子排布式为。$\left[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}\right[{\mathrm{SbF}}_{6}{]}^{-}$（氟酸锑）是一种超强酸，则$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$离子的空间构型为，写出一种与$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$互为等电子体的分子。（3）下列说法正确的是（）A.${\mathrm{N}}_{2}{\mathrm{H}}_{4}$分子中含5个$\mathrm{\text{σ}}$键和1个$\pi $键B.基态$\mathrm{P}$原子中，电子占据的最高能级符号为MC.$\mathrm{Sb}$位于p区D.升温实现—液氨$\to $氨气$\to $氮气和氢气变化的阶段中，微粒间破坏的主要的作用力依次是氢键、极性共价键。（4）$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如表所示，解释$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$熔点变化原因。物质$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$熔点\/${\,}^{\circ }\mathrm{C}$17001480（5） $\mathrm{GaN}$晶胞结构如图1所示，已知六棱柱底边边长为a cm。①晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆积方式，每个$\mathrm{Ga}$原子周围距离最近的$\mathrm{Ga}$原子数目为；②从$\mathrm{GaN}$晶体中分割出的平行六面体如图2所示。若该平行六面体的体积为$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶体的密度为$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。","title_text":"如图是元素周期表的一部分：$\mathrm{N}$$\mathrm{P}$①$\mathrm{Sb}$（1）写出元素①的元素符号， 与①同周期的主族元素中，第一电离能比①大的有种。（2）基态锑（$\mathrm{Sb}$）原子的价电子排布式为。$\left[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}\right[{\mathrm{SbF}}_{6}{]}^{-}$（氟酸锑）是一种超强酸，则$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$离子的空间构型为，写出一种与$[{\mathrm{H}}_{2}\mathrm{F}{]}^{+}$互为等电子体的分子。（3）下列说法正确的是（）A.${\mathrm{N}}_{2}{\mathrm{H}}_{4}$分子中含5个$\mathrm{\text{σ}}$键和1个$\pi $键B.基态$\mathrm{P}$原子中，电子占据的最高能级符号为MC.$\mathrm{Sb}$位于p区D.升温实现—液氨$\to $氨气$\to $氮气和氢气变化的阶段中，微粒间破坏的主要的作用力依次是氢键、极性共价键。（4）$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如表所示，解释$\mathrm{GaN}$、$\mathrm{GaP}$熔点变化原因。物质$\mathrm{GaN}$$\mathrm{GaP}$熔点\/${\,}^{\circ }\mathrm{C}$17001480（5） $\mathrm{GaN}$晶胞结构如图1所示，已知六棱柱底边边长为a cm。①晶胞中$\mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆积方式，每个$\mathrm{Ga}$原子周围距离最近的$\mathrm{Ga}$原子数目为；②从$\mathrm{GaN}$晶体中分割出的平行六面体如图2所示。若该平行六面体的体积为$\sqrt{2}{\mathrm{a}}^{3}{\mathrm{cm}}^{3}$，$\mathrm{GaN}$晶体的密度为$\mathrm{g}\/{\mathrm{cm}}^{3}$（用a、${\mathrm{N}}_{\mathrm{A}}$表示）。方面的知识分享给大家，希望大家会喜欢哦。

1、(1)①位于$mathrm{P}$的下一周期，元素序数为$33$，元素符号为$mathrm{As}$，$mathrm{As}$原子的外围$p$电子是半充满的稳定结构，第一电离能大于$mathrm{VIA}$族的$34$号元素，但小于$mathrm{Br}$，同周期的主族元素中，第一电离能比$mathrm{As}$大的只有$mathrm{Br}$，即一种，

2、故答案为：$mathrm{As}$；$1$；

3、$left(2right)mathrm{Sb}$位于第五周期的$mathrm{VA}$族元素，与第二周期的$mathrm{N}$原子价电子排布相似，所以$mathrm{Sb}$原子的价电子排布式为$5,mathrm{s}^{2}5mathrm{p}^{3}$，$left[mathrm{H}_{2}mathrm{F}right]^{+}$的价层电子数$=2+dfrac{7-1-2}{2}=4$，含有两对孤电子对，$mathrm{VSEPR}$模型为四面体，略去两对孤电子对，则$left[mathrm{H}_{2}mathrm{F}right]^{+}$离子的空间构型为$V$形；$left[mathrm{H}_{2}mathrm{F}right]^{+}$的原子总数为$3$、其中含有$2$个$mathrm{H}$原子、带一个单位正电荷，所以与其互为等电子体的分子也含有$2$个$mathrm{H}$原子、价电子总数为$8$的分子为$mathrm{H}_{2}mathrm{O}$，

4、故答案为：$5,mathrm{s}^{2}5mathrm{p}^{3}$，$V$形；$mathrm{H}_{2}mathrm{O}$；

5、$left(3right)mathrm{a}.mathrm{N}_{2}mathrm{H}_{4}$分子中存在$4$个$mathrm{N}-mathrm{H}$和$1$个$mathrm{N}-mathrm{N}$键，无$pi $键，故$mathrm{a}$错误；

6、$mathrm{b}$.基态$mathrm{P}$原子价电子排布式为$3,mathrm{s}^{2}3mathrm{p}^{3}$，电子占据的最高能层符号为$M$，电子占据的最高能级符号为$p$，故$mathrm{b}$错误；

7、$mathrm{c}.mathrm{Sb}$原子价电子排布式为$5,mathrm{s}^{2}5mathrm{p}^{3}$，属于$p$区，故$c$正确；

8、$d$.液氨分子间存在氢键和分子间作用力，氨气分解生成氮气和氢气发生化学变化，断裂极性共价键，所以升温时，液氨$rightarrow $氨气$rightarrow $氮气和氢气变化的阶段中，微粒间破坏的主要的作用力依次是氢键、极性共价键，故$d$正确；

9、故答案为：$mathrm{cd}$；

10、(4)晶体硅是原子晶体，$mathrm{GaN}$、$mathrm{GaP}$的晶体类型与晶体硅类似，则$mathrm{GaN}$、$mathrm{GaP}$均为原子晶体，原子间存在共价键，由于原子半径：$mathrm{P} gt mathrm{N}$，键长$mathrm{Ga}-mathrm{P} gt mathrm{Ga}-mathrm{N}$，键能$mathrm{Ga}-mathrm{N} gt mathrm{Ga}-mathrm{P}$，所以熔点：$mathrm{G}mathrm{a}mathrm{N}gt mathrm{G}mathrm{a}{mathrm{P}}^{}$，

11、故答案为：$mathrm{GaN}$、$mathrm{GaP}$都是原子晶体，原子半径$mathrm{N} lt mathrm{P}$，键长$mathrm{Ga}-mathrm{N} lt mathrm{Ga}-mathrm{P}$，键能$mathrm{Ga}-mathrm{N} gt mathrm{Ga}-mathrm{P}$，故$mathrm{GaN}$熔点大于$mathrm{GaP}$；

12、(5)①$mathrm{Ga}$原子采用六方最密堆积方式，以结构单元上底面面心的$mathrm{Ga}$原子研究，上底面$6$个顶点$mathrm{Ga}$原子、内部的$3$个$mathrm{Ga}$原子之距离最近且相等，与上底面共面的结构单元内还有$3$个$mathrm{Ga}$原子，故每个$mathrm{Ga}$原子周围距离最近的$mathrm{Ga}$原子数目为$12$，

13、故答案为：$12$；

14、②晶胞中$mathrm{Ga}$原子数为$1+4times dfrac{1}{6}+4times dfrac{1}{12}=2$，$mathrm{N}$原子数为$1+2times dfrac{1}{3}+2times dfrac{1}{6}=2$，晶胞的质量$m=dfrac{2times, 84}{mathrm{N}_{mathrm{A}}}mathrm{g}$，晶体密度$rho =dfrac{m}{mathrm{V}}=dfrac{dfrac{2times, 84}{N_{mathrm{A}}}}{sqrt {2}a^{3}}mathrm{g}/mathrm{cm}^{3}=dfrac{84sqrt {2}}{N_{mathrm{A}}cdot a^{3}}mathrm{g}/mathrm{cm}^{3}$，

15、故答案为：$dfrac{84sqrt {2}}{N_{mathrm{A}}cdot a^{3}}$。

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