当前大家对于半导体中的雪崩倍增效应都是颇为感兴趣的，大家都想要了解一下半导体中的雪崩倍增效应，那么小美也是在网络上收集了一些关于半导体中的雪崩倍增效应的一些信息来分享给大家，希望能够帮到大家哦。

1、半导体中的雪崩倍增效应：半导体中的雪崩倍增效应通常用电离率来描述碰撞电离效应的强弱。

2、它定义为一个载流子通过单位距离平均所产生的电子空穴对的数目。

3、电离率强烈依赖于电场，也是温度的函数（由于温度升高，点阵散射增强，倾向于阻碍对载流子的加热，通常电离率随温度的升高而下降）。

4、电子和空穴一般具有不同的电离率。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。

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